德国LASER硅雪崩光电二极管SARF500F2产品详情：

与光电倍增管类似，雪崩光电二极管用于检测极弱的光强度。Si APD的波长范围为250至1100 nm，InGaAs用作APD中的半导体材料，波长范围为1100至1700 nm。

SAE 系列（230 μm， 500 μm）

SAE系列具有外延结构，可提供红色增强（即针对可见光波长进行优化）或NIR增强（即针对NIR波长进行优化）版本。这些APD价格低廉，具有非常大的增益和动态范围。

SAR 系列（500 微米、1.5 毫米、3.0 毫米）

SAR 系列基于直通式结构，在 400 nm 至 1100 nm 的整个光谱范围内具有高灵敏度。同时，上升和下降时间非常快（通常为 450 ps）。这些 APD 具有极低噪声、低暗电流的特点。

SARP系列（500 微米、1.5 毫米、3.0 毫米）
特别选择的APD（SARP系列）也可用于盖革模式下的光子计数（VR> VBR），其中单个光子触发大约 10 的雪崩脉冲8电荷载体。该APD特别适用于光谱学、荧光测量、医疗技术和高端激光雷达应用。

带集成过滤器的 SARF 系列（500 μm，带 905 nm 带通滤光片）

Si-APD最常见的应用之一是基于飞行时间法（LIDAR）的测距系统。在飞行时间方法中，905 nm 脉冲半导体激光管发射激光脉冲，该脉冲从物体反射并通过光学器件聚焦到 APD 芯片上。为了实现最佳的信噪比，必须在APD或光学器件的前面安装一个阻挡周围光线的外部带通滤波器。在新的SARF系列中，该滤波器已经集成到TO外壳中。

SAHA系列（低成本）

采用微型 SMD 封装的低成本 APD。响应度针对 850 nm 和 905 nm 测距仪进行了优化。可选配 SAHA 系列，也可配备 905 nm 带通滤光片。

技术参数：

相似型号：

SAE230NF3 SAE230NL3 SAE230NM8 SAE230NM8F SAE230NS2 SAE230NS3 SAE230NT6 SAE230NY1 SAE230NY2 SAE500NF3 SAE500NL3 SAE500NM8 SAE500NM8F SAE500NS2 SAE500NS3 SAE500NT6 SAE500NY1 SAE500NY2 SAE230VL3 SAE230VM8 SAE230VS2 SAE230VS3 SAE230VT6 SAE230VY1 SAE230VY2 SAE500VL3 SAE500VM8 SAE500VS2 SAE500VS3 SAE500VT6 SAE500VY1 SAE500VY2 SAR500F2 SAR500F3 SAR500L3 SAR500S2 SAR500S3 SAR500T6 SAR500T8 SAR500FP SARP500F2 SARP500F3 SARP500L3 SARP500S2 SARP500S3 SARP500T6 SARP500T8 SARP500FP SARF500F3 SARF500M8F SARF500S2 SARF500S3 SARF500T6 SAHA230M2Fi SAHA230M1Fi SAHA500M2Fi SAHA500M1Fi